Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8809EDB-T2-E1

SI8809EDB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
Nomor Bagian
SI8809EDB-T2-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Last Time Buy
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
4-XFBGA
Paket Perangkat Pemasok
4-Microfoot
Disipasi Daya (Maks)
500mW (Ta)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
-
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
900mV @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
15nC @ 8V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 24301 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8809EDB-T2-E1
SI8809EDB-T2-E1 Komponen elektronik
SI8809EDB-T2-E1 Penjualan
SI8809EDB-T2-E1 Pemasok
SI8809EDB-T2-E1 Distributor
SI8809EDB-T2-E1 Tabel data
SI8809EDB-T2-E1 Foto
SI8809EDB-T2-E1 Harga
SI8809EDB-T2-E1 Menawarkan
SI8809EDB-T2-E1 Harga terendah
SI8809EDB-T2-E1 Mencari
SI8809EDB-T2-E1 Pembelian
SI8809EDB-T2-E1 Kepingan