Beli Vishay Siliconix SI7792DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI7792DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

Nomor Bagian

SI7792DP-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

SkyFET®, TrenchFET® Gen III

Status Bagian

Last Time Buy

Kemasan

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SO-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SO-8

Disipasi Daya (Maks)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Schottky Diode (Body)

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

40.6A (Ta), 60A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

2.1 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

135nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

4.735nF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 5614 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI7703EDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8