Beli Vishay Siliconix SI7703EDN-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI7703EDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Nomor Bagian

SI7703EDN-T1-E3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® 1212-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8

Disipasi Daya (Maks)

1.3W (Ta)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Schottky Diode (Isolated)

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

4.3A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

48 mOhm @ 6.3A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 800µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±12V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 41609 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI7703EDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8