Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI7758DP-T1-GE3

SI7758DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Nomor Bagian
SI7758DP-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
SkyFET®, TrenchFET®
Status Bagian
Last Time Buy
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Disipasi Daya (Maks)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.7V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
160nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
7150pF @ 15V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 10674 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI7758DP-T1-GE3
SI7758DP-T1-GE3 Komponen elektronik
SI7758DP-T1-GE3 Penjualan
SI7758DP-T1-GE3 Pemasok
SI7758DP-T1-GE3 Distributor
SI7758DP-T1-GE3 Tabel data
SI7758DP-T1-GE3 Foto
SI7758DP-T1-GE3 Harga
SI7758DP-T1-GE3 Menawarkan
SI7758DP-T1-GE3 Harga terendah
SI7758DP-T1-GE3 Mencari
SI7758DP-T1-GE3 Pembelian
SI7758DP-T1-GE3 Kepingan