Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI7160DP-T1-GE3

SI7160DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Nomor Bagian
SI7160DP-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Disipasi Daya (Maks)
5W (Ta), 27.7W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
8.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
66nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2970pF @ 15V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±16V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 34100 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI7160DP-T1-GE3
SI7160DP-T1-GE3 Komponen elektronik
SI7160DP-T1-GE3 Penjualan
SI7160DP-T1-GE3 Pemasok
SI7160DP-T1-GE3 Distributor
SI7160DP-T1-GE3 Tabel data
SI7160DP-T1-GE3 Foto
SI7160DP-T1-GE3 Harga
SI7160DP-T1-GE3 Menawarkan
SI7160DP-T1-GE3 Harga terendah
SI7160DP-T1-GE3 Mencari
SI7160DP-T1-GE3 Pembelian
SI7160DP-T1-GE3 Kepingan