Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI7100DN-T1-GE3

SI7100DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
Nomor Bagian
SI7100DN-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8
Disipasi Daya (Maks)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
8V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
105nC @ 8V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
3810pF @ 4V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
2.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 36095 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI7100DN-T1-GE3
SI7100DN-T1-GE3 Komponen elektronik
SI7100DN-T1-GE3 Penjualan
SI7100DN-T1-GE3 Pemasok
SI7100DN-T1-GE3 Distributor
SI7100DN-T1-GE3 Tabel data
SI7100DN-T1-GE3 Foto
SI7100DN-T1-GE3 Harga
SI7100DN-T1-GE3 Menawarkan
SI7100DN-T1-GE3 Harga terendah
SI7100DN-T1-GE3 Mencari
SI7100DN-T1-GE3 Pembelian
SI7100DN-T1-GE3 Kepingan