Beli Vishay Siliconix SI7123DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI7123DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8

Nomor Bagian

SI7123DN-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Last Time Buy

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® 1212-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8

Disipasi Daya (Maks)

1.5W (Ta)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

10.2A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

10.6 mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

90nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

3729pF @ 10V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 10085 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI7100DN-T1-E3

MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8