Beli Vishay Siliconix SI7106DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SI7106DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Nomor Bagian

SI7106DN-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® 1212-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8

Disipasi Daya (Maks)

1.5W (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

12.5A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks)

±12V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 32678 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI7100DN-T1-E3

MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8