Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI6562CDQ-T1-GE3

SI6562CDQ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
Nomor Bagian
SI6562CDQ-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Kekuatan - Maks
1.6W, 1.7W
Paket Perangkat Pemasok
8-TSSOP
Tipe FET
N and P-Channel
Fitur FET
Logic Level Gate
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
6.7A, 6.1A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
23nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
850pF @ 10V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 27202 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI6562CDQ-T1-GE3
SI6562CDQ-T1-GE3 Komponen elektronik
SI6562CDQ-T1-GE3 Penjualan
SI6562CDQ-T1-GE3 Pemasok
SI6562CDQ-T1-GE3 Distributor
SI6562CDQ-T1-GE3 Tabel data
SI6562CDQ-T1-GE3 Foto
SI6562CDQ-T1-GE3 Harga
SI6562CDQ-T1-GE3 Menawarkan
SI6562CDQ-T1-GE3 Harga terendah
SI6562CDQ-T1-GE3 Mencari
SI6562CDQ-T1-GE3 Pembelian
SI6562CDQ-T1-GE3 Kepingan