Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI4500BDY-T1-GE3

SI4500BDY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
Nomor Bagian
SI4500BDY-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Digi-Reel®
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Kekuatan - Maks
1.3W
Paket Perangkat Pemasok
8-SO
Tipe FET
N and P-Channel, Common Drain
Fitur FET
Logic Level Gate
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
6.6A, 3.8A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 17930 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI4500BDY-T1-GE3
SI4500BDY-T1-GE3 Komponen elektronik
SI4500BDY-T1-GE3 Penjualan
SI4500BDY-T1-GE3 Pemasok
SI4500BDY-T1-GE3 Distributor
SI4500BDY-T1-GE3 Tabel data
SI4500BDY-T1-GE3 Foto
SI4500BDY-T1-GE3 Harga
SI4500BDY-T1-GE3 Menawarkan
SI4500BDY-T1-GE3 Harga terendah
SI4500BDY-T1-GE3 Mencari
SI4500BDY-T1-GE3 Pembelian
SI4500BDY-T1-GE3 Kepingan