Beli Vishay Siliconix SI4196DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI4196DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Nomor Bagian

SI4196DY-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paket Perangkat Pemasok

8-SO

Disipasi Daya (Maks)

2W (Ta), 4.6W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

8A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

22nC @ 8V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

830pF @ 10V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 12646 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI4100DY-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC