Beli Vishay Siliconix SI4101DY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI4101DY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

Nomor Bagian

SI4101DY-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paket Perangkat Pemasok

8-SO

Disipasi Daya (Maks)

2.9W (Ta), 6W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

25.7A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

203nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

8190pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 21123 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI4100DY-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC