Beli Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65C,S1Q DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

TRS12E65C,S1Q

DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L

Nomor Bagian

TRS12E65C,S1Q

Pabrikan/Merek

Toshiba Semiconductor and Storage

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-220-2

Paket Perangkat Pemasok

TO-220-2L

Tipe Dioda

Silicon Carbide Schottky

Saat Ini - Rata-rata Diperbaiki (Io)

12A (DC)

Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If

1.7V @ 12A

Arus - Kebocoran Terbalik @ Vr

90µA @ 170V

Tegangan - DC Terbalik (Vr) (Maks)

650V

Kecepatan

No Recovery Time > 500mA (Io)

Waktu Pemulihan Terbalik (trr)

0ns

Suhu Operasional - Persimpangan

175°C (Max)

Kapasitansi @ Vr, F

65pF @ 650V, 1MHz

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 23160 PCS

Kontak informasi