Beli Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R008NH,L1Q MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

TPW4R008NH,L1Q

MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP

Nomor Bagian

TPW4R008NH,L1Q

Pabrikan/Merek

Toshiba Semiconductor and Storage

Seri

U-MOSVIII-H

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-PowerVDFN

Paket Perangkat Pemasok

8-DSOP Advance

Disipasi Daya (Maks)

800mW (Ta), 142W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

80V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

116A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 1mA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

59nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

5300pF @ 40V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 26159 PCS

Kontak informasi