Beli Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R306PL,L1Q X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

TPW1R306PL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Nomor Bagian

TPW1R306PL,L1Q

Pabrikan/Merek

Toshiba Semiconductor and Storage

Seri

U-MOSIX-H

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-PowerVDFN

Paket Perangkat Pemasok

8-DSOP Advance

Disipasi Daya (Maks)

960mW (Ta), 170W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

60V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

260A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

Vgs(th) (Maks) @ Id

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 54132 PCS

Kontak informasi