Beli Toshiba Semiconductor and Storage TPN5900CNH,L1Q MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

TPN5900CNH,L1Q

MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON

Nomor Bagian

TPN5900CNH,L1Q

Pabrikan/Merek

Toshiba Semiconductor and Storage

Seri

U-MOSVIII-H

Status Bagian

Active

Kemasan

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-PowerVDFN

Paket Perangkat Pemasok

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Disipasi Daya (Maks)

700mW (Ta), 39W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

150V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

9A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

59 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 200µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

7nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

600pF @ 75V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 40999 PCS

Kontak informasi