TPN4R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
Nomor Bagian
TPN4R712MD,L1Q
Pabrikan/Merek
Seri
U-MOSVI
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-PowerVDFN
Paket Perangkat Pemasok
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Disipasi Daya (Maks)
42W (Tc)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.2V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
65nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
4300pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
2.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±12V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 26105 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari TPN4R712MD,L1Q
TPN4R712MD,L1Q Komponen elektronik
TPN4R712MD,L1Q Penjualan
TPN4R712MD,L1Q Pemasok
TPN4R712MD,L1Q Distributor
TPN4R712MD,L1Q Tabel data
TPN4R712MD,L1Q Foto
TPN4R712MD,L1Q Harga
TPN4R712MD,L1Q Menawarkan
TPN4R712MD,L1Q Harga terendah
TPN4R712MD,L1Q Mencari
TPN4R712MD,L1Q Pembelian
TPN4R712MD,L1Q Kepingan