Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
TPN2R805PL,L1Q

TPN2R805PL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Nomor Bagian
TPN2R805PL,L1Q
Seri
U-MOSIX-H
Status Bagian
Active
Kemasan
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
175°C
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-PowerVDFN
Paket Perangkat Pemasok
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Disipasi Daya (Maks)
2.67W (Ta), 104W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
45V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
139A (Ta), 80A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.4V @ 300µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
39nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
3.2nF @ 22.5V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 51771 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari TPN2R805PL,L1Q
TPN2R805PL,L1Q Komponen elektronik
TPN2R805PL,L1Q Penjualan
TPN2R805PL,L1Q Pemasok
TPN2R805PL,L1Q Distributor
TPN2R805PL,L1Q Tabel data
TPN2R805PL,L1Q Foto
TPN2R805PL,L1Q Harga
TPN2R805PL,L1Q Menawarkan
TPN2R805PL,L1Q Harga terendah
TPN2R805PL,L1Q Mencari
TPN2R805PL,L1Q Pembelian
TPN2R805PL,L1Q Kepingan