TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Nomor Bagian
TPN2010FNH,L1Q
Pabrikan/Merek
Seri
U-MOSVIII-H
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-PowerVDFN
Paket Perangkat Pemasok
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Disipasi Daya (Maks)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
250V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
5.6A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 200µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
7nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
600pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 42553 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari TPN2010FNH,L1Q
TPN2010FNH,L1Q Komponen elektronik
TPN2010FNH,L1Q Penjualan
TPN2010FNH,L1Q Pemasok
TPN2010FNH,L1Q Distributor
TPN2010FNH,L1Q Tabel data
TPN2010FNH,L1Q Foto
TPN2010FNH,L1Q Harga
TPN2010FNH,L1Q Menawarkan
TPN2010FNH,L1Q Harga terendah
TPN2010FNH,L1Q Mencari
TPN2010FNH,L1Q Pembelian
TPN2010FNH,L1Q Kepingan