Beli Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L,LQ MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

TK90S06N1L,LQ

MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Nomor Bagian

TK90S06N1L,LQ

Pabrikan/Merek

Toshiba Semiconductor and Storage

Seri

U-MOSVIII-H

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

TO-252-3

Disipasi Daya (Maks)

157W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

60V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

90A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

3.3 mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 500µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

81nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

5400pF @ 10V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 26068 PCS

Kontak informasi