Beli Toshiba Semiconductor and Storage TK4R3E06PL,S1X X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

TK4R3E06PL,S1X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Nomor Bagian

TK4R3E06PL,S1X

Pabrikan/Merek

Toshiba Semiconductor and Storage

Seri

U-MOSIX-H

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-220-3

Paket Perangkat Pemasok

TO-220

Disipasi Daya (Maks)

87W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

60V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

80A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

7.2 mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 500µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

48.2nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

3280pF @ 30V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 18779 PCS

Kontak informasi