Beli Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

TK3A60DA(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Nomor Bagian

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Pabrikan/Merek

Toshiba Semiconductor and Storage

Seri

π-MOSVII

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-220-3 Full Pack

Paket Perangkat Pemasok

TO-220SIS

Disipasi Daya (Maks)

30W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

600V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

2.5A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

2.8 Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4.4V @ 1mA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

9nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

380pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 9773 PCS

Kontak informasi