Beli Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W,S1VQ MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

TK39J60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

Nomor Bagian

TK39J60W,S1VQ

Pabrikan/Merek

Toshiba Semiconductor and Storage

Seri

DTMOSIV

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-3P-3, SC-65-3

Paket Perangkat Pemasok

TO-3P(N)

Disipasi Daya (Maks)

270W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Super Junction

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

600V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

38.8A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3.7V @ 1.9mA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

110nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

4100pF @ 300V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 23622 PCS

Kontak informasi