Beli Toshiba Semiconductor and Storage TK28N65W,S1F MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247

Cina
Pemasok komponen elektronik profesional

Katalog Pabrikan CN ICs

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

TK28N65W,S1F

MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247

Nomor Bagian

TK28N65W,S1F

Pabrikan/Merek

Toshiba Semiconductor and Storage

Seri

DTMOSIV

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-247-3

Paket Perangkat Pemasok

TO-247

Disipasi Daya (Maks)

230W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

650V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

27.6A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3.5V @ 1.6mA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

75nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

3000pF @ 300V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 11732 PCS

Kontak informasi