Beli Taiwan Semiconductor Corporation TSM015NA03CR RLG MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

TSM015NA03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN

Nomor Bagian

TSM015NA03CR RLG

Pabrikan/Merek

Taiwan Semiconductor Corporation

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-PowerTDFN

Paket Perangkat Pemasok

8-PDFN (5x6)

Disipasi Daya (Maks)

104W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

205A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

1.5 mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

67nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

4243pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 26957 PCS

Kontak informasi