Beli STMicroelectronics STB200N6F3 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

STB200N6F3

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Nomor Bagian

STB200N6F3

Pabrikan/Merek

STMicroelectronics

Seri

STripFET™

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paket Perangkat Pemasok

D2PAK

Disipasi Daya (Maks)

330W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

60V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

3.6 mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

100nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

6800pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 31357 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

STB200N4F3

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK