Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
RD3T100CNTL1

RD3T100CNTL1

NCH 200V 10A POWER MOSFET
Nomor Bagian
RD3T100CNTL1
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Perangkat Pemasok
TO-252
Disipasi Daya (Maks)
85W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5.25V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
25nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1400pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 20148 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari RD3T100CNTL1
RD3T100CNTL1 Komponen elektronik
RD3T100CNTL1 Penjualan
RD3T100CNTL1 Pemasok
RD3T100CNTL1 Distributor
RD3T100CNTL1 Tabel data
RD3T100CNTL1 Foto
RD3T100CNTL1 Harga
RD3T100CNTL1 Menawarkan
RD3T100CNTL1 Harga terendah
RD3T100CNTL1 Mencari
RD3T100CNTL1 Pembelian
RD3T100CNTL1 Kepingan