Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
NTMS10P02R2G

NTMS10P02R2G

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Nomor Bagian
NTMS10P02R2G
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket Perangkat Pemasok
8-SOIC
Disipasi Daya (Maks)
1.6W (Ta)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
70nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
3640pF @ 16V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
2.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±12V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 48443 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari NTMS10P02R2G
NTMS10P02R2G Komponen elektronik
NTMS10P02R2G Penjualan
NTMS10P02R2G Pemasok
NTMS10P02R2G Distributor
NTMS10P02R2G Tabel data
NTMS10P02R2G Foto
NTMS10P02R2G Harga
NTMS10P02R2G Menawarkan
NTMS10P02R2G Harga terendah
NTMS10P02R2G Mencari
NTMS10P02R2G Pembelian
NTMS10P02R2G Kepingan