Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
NTD60N02R-1G

NTD60N02R-1G

MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
Nomor Bagian
NTD60N02R-1G
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paket Perangkat Pemasok
I-PAK
Disipasi Daya (Maks)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
25V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1330pF @ 20V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 14645 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari NTD60N02R-1G
NTD60N02R-1G Komponen elektronik
NTD60N02R-1G Penjualan
NTD60N02R-1G Pemasok
NTD60N02R-1G Distributor
NTD60N02R-1G Tabel data
NTD60N02R-1G Foto
NTD60N02R-1G Harga
NTD60N02R-1G Menawarkan
NTD60N02R-1G Harga terendah
NTD60N02R-1G Mencari
NTD60N02R-1G Pembelian
NTD60N02R-1G Kepingan