Beli ON Semiconductor HGT1S10N120BNST IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

HGT1S10N120BNST

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Nomor Bagian

HGT1S10N120BNST

Pabrikan/Merek

ON Semiconductor

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Digi-Reel®

Tipe masukan

Standard

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kekuatan - Maks

298W

Paket Perangkat Pemasok

TO-263AB

Waktu Pemulihan Terbalik (trr)

Arus - Kolektor (Ic) (Maks)

35A

Tegangan - Kerusakan Kolektor Emitor (Maks)

1200V

Tipe IGBT

NPT

Vce(aktif) (Maks) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Arus - Kolektor Berdenyut (Icm)

80A

Peralihan Energi

320µJ (on), 800µJ (off)

Biaya Gerbang

100nC

Td (hidup/mati) @ 25°C

23ns/165ns

Tes kondisi

960V, 10A, 10 Ohm, 15V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 34255 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

HGT1N30N60A4D

IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227