FQPF19N20T
MOSFET N-CH 100V 11.8A TO-220F
Nomor Bagian
FQPF19N20T
Pabrikan/Merek
Seri
QFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3 Full Pack
Paket Perangkat Pemasok
TO-220F
Disipasi Daya (Maks)
50W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
11.8A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
40nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1600pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 20921 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari FQPF19N20T
FQPF19N20T Komponen elektronik
FQPF19N20T Penjualan
FQPF19N20T Pemasok
FQPF19N20T Distributor
FQPF19N20T Tabel data
FQPF19N20T Foto
FQPF19N20T Harga
FQPF19N20T Menawarkan
FQPF19N20T Harga terendah
FQPF19N20T Mencari
FQPF19N20T Pembelian
FQPF19N20T Kepingan