FQPF10N20
MOSFET N-CH 200V 6.8A TO-220F
Nomor Bagian
FQPF10N20
Pabrikan/Merek
Seri
QFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3 Full Pack
Paket Perangkat Pemasok
TO-220F
Disipasi Daya (Maks)
40W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
18nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
670pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 45241 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari FQPF10N20
FQPF10N20 Komponen elektronik
FQPF10N20 Penjualan
FQPF10N20 Pemasok
FQPF10N20 Distributor
FQPF10N20 Tabel data
FQPF10N20 Foto
FQPF10N20 Harga
FQPF10N20 Menawarkan
FQPF10N20 Harga terendah
FQPF10N20 Mencari
FQPF10N20 Pembelian
FQPF10N20 Kepingan