FQP19N20C_F080
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
Nomor Bagian
FQP19N20C_F080
Pabrikan/Merek
Seri
QFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-220-3
Disipasi Daya (Maks)
139W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
53nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1080pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 7499 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari FQP19N20C_F080
FQP19N20C_F080 Komponen elektronik
FQP19N20C_F080 Penjualan
FQP19N20C_F080 Pemasok
FQP19N20C_F080 Distributor
FQP19N20C_F080 Tabel data
FQP19N20C_F080 Foto
FQP19N20C_F080 Harga
FQP19N20C_F080 Menawarkan
FQP19N20C_F080 Harga terendah
FQP19N20C_F080 Mencari
FQP19N20C_F080 Pembelian
FQP19N20C_F080 Kepingan