FQP10N20C
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
Nomor Bagian
FQP10N20C
Pabrikan/Merek
Seri
QFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-220-3
Disipasi Daya (Maks)
72W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
26nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
510pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 5883 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari FQP10N20C
FQP10N20C Komponen elektronik
FQP10N20C Penjualan
FQP10N20C Pemasok
FQP10N20C Distributor
FQP10N20C Tabel data
FQP10N20C Foto
FQP10N20C Harga
FQP10N20C Menawarkan
FQP10N20C Harga terendah
FQP10N20C Mencari
FQP10N20C Pembelian
FQP10N20C Kepingan