Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
FQI9N08LTU

FQI9N08LTU

MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
Nomor Bagian
FQI9N08LTU
Pabrikan/Merek
Seri
QFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paket Perangkat Pemasok
I2PAK (TO-262)
Disipasi Daya (Maks)
3.75W (Ta), 40W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
80V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
210 mOhm @ 4.65A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
6.1nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
280pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 13640 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari FQI9N08LTU
FQI9N08LTU Komponen elektronik
FQI9N08LTU Penjualan
FQI9N08LTU Pemasok
FQI9N08LTU Distributor
FQI9N08LTU Tabel data
FQI9N08LTU Foto
FQI9N08LTU Harga
FQI9N08LTU Menawarkan
FQI9N08LTU Harga terendah
FQI9N08LTU Mencari
FQI9N08LTU Pembelian
FQI9N08LTU Kepingan