Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
FQI6N60CTU

FQI6N60CTU

MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
Nomor Bagian
FQI6N60CTU
Pabrikan/Merek
Seri
QFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paket Perangkat Pemasok
I2PAK (TO-262)
Disipasi Daya (Maks)
125W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
600V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
20nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
810pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 28864 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari FQI6N60CTU
FQI6N60CTU Komponen elektronik
FQI6N60CTU Penjualan
FQI6N60CTU Pemasok
FQI6N60CTU Distributor
FQI6N60CTU Tabel data
FQI6N60CTU Foto
FQI6N60CTU Harga
FQI6N60CTU Menawarkan
FQI6N60CTU Harga terendah
FQI6N60CTU Mencari
FQI6N60CTU Pembelian
FQI6N60CTU Kepingan