Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
FQI4N20LTU

FQI4N20LTU

MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK
Nomor Bagian
FQI4N20LTU
Pabrikan/Merek
Seri
QFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paket Perangkat Pemasok
I2PAK (TO-262)
Disipasi Daya (Maks)
3.13W (Ta), 45W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
1.35 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
5.2nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
310pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 49952 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari FQI4N20LTU
FQI4N20LTU Komponen elektronik
FQI4N20LTU Penjualan
FQI4N20LTU Pemasok
FQI4N20LTU Distributor
FQI4N20LTU Tabel data
FQI4N20LTU Foto
FQI4N20LTU Harga
FQI4N20LTU Menawarkan
FQI4N20LTU Harga terendah
FQI4N20LTU Mencari
FQI4N20LTU Pembelian
FQI4N20LTU Kepingan