Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
FQI32N12V2TU

FQI32N12V2TU

MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK
Nomor Bagian
FQI32N12V2TU
Pabrikan/Merek
Seri
QFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paket Perangkat Pemasok
I2PAK (TO-262)
Disipasi Daya (Maks)
3.75W (Ta), 150W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
120V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
53nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1860pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 45696 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari FQI32N12V2TU
FQI32N12V2TU Komponen elektronik
FQI32N12V2TU Penjualan
FQI32N12V2TU Pemasok
FQI32N12V2TU Distributor
FQI32N12V2TU Tabel data
FQI32N12V2TU Foto
FQI32N12V2TU Harga
FQI32N12V2TU Menawarkan
FQI32N12V2TU Harga terendah
FQI32N12V2TU Mencari
FQI32N12V2TU Pembelian
FQI32N12V2TU Kepingan