Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
FQD4N20LTM

FQD4N20LTM

MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
Nomor Bagian
FQD4N20LTM
Pabrikan/Merek
Seri
QFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Perangkat Pemasok
D-Pak
Disipasi Daya (Maks)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
1.35 Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
5.2nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
310pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 31655 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari FQD4N20LTM
FQD4N20LTM Komponen elektronik
FQD4N20LTM Penjualan
FQD4N20LTM Pemasok
FQD4N20LTM Distributor
FQD4N20LTM Tabel data
FQD4N20LTM Foto
FQD4N20LTM Harga
FQD4N20LTM Menawarkan
FQD4N20LTM Harga terendah
FQD4N20LTM Mencari
FQD4N20LTM Pembelian
FQD4N20LTM Kepingan