Beli ON Semiconductor FDI038AN06A0 MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

FDI038AN06A0

MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB

Nomor Bagian

FDI038AN06A0

Pabrikan/Merek

ON Semiconductor

Seri

PowerTrench®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paket Perangkat Pemasok

I2PAK (TO-262)

Disipasi Daya (Maks)

310W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

60V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

17A (Ta), 80A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

124nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

6400pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

6V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 41586 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

FDI025N06

MOSFET N-CH 60V 265A TO-262