Beli ON Semiconductor FDB3860 MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

FDB3860

MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

Nomor Bagian

FDB3860

Pabrikan/Merek

ON Semiconductor

Seri

PowerTrench®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paket Perangkat Pemasok

TO-263AB

Disipasi Daya (Maks)

3.1W (Ta), 71W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

100V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

6.4A (Ta), 30A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

37 mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

30nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1740pF @ 50V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 20521 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

FDB33N25TM

MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK