Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
FDB33N25TM

FDB33N25TM

MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Nomor Bagian
FDB33N25TM
Pabrikan/Merek
Seri
UniFET™
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
D²PAK
Disipasi Daya (Maks)
235W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
250V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
94 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
48nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2135pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 10374 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari FDB33N25TM
FDB33N25TM Komponen elektronik
FDB33N25TM Penjualan
FDB33N25TM Pemasok
FDB33N25TM Distributor
FDB33N25TM Tabel data
FDB33N25TM Foto
FDB33N25TM Harga
FDB33N25TM Menawarkan
FDB33N25TM Harga terendah
FDB33N25TM Mencari
FDB33N25TM Pembelian
FDB33N25TM Kepingan