Beli NXP USA Inc. PMDPB38UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

PMDPB38UNE,115

MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

Nomor Bagian

PMDPB38UNE,115

Pabrikan/Merek

NXP USA Inc.

Seri

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

6-UDFN Exposed Pad

Kekuatan - Maks

510mW

Paket Perangkat Pemasok

DFN2020-6

Tipe FET

2 N-Channel (Dual)

Fitur FET

Logic Level Gate

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

46 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

4.4nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

268pF @ 10V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 36337 PCS

Kontak informasi