Beli NXP USA Inc. PHD108NQ03LT,118 MOSFET N-CH 25V 75A DPAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

PHD108NQ03LT,118

MOSFET N-CH 25V 75A DPAK

Nomor Bagian

PHD108NQ03LT,118

Pabrikan/Merek

NXP USA Inc.

Seri

TrenchMOS™

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

DPAK

Disipasi Daya (Maks)

187W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

25V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

75A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2V @ 1mA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

16.3nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1375pF @ 12V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 25548 PCS

Kontak informasi