Beli NXP USA Inc. PHB110NQ06LT,118 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

PHB110NQ06LT,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Nomor Bagian

PHB110NQ06LT,118

Pabrikan/Merek

NXP USA Inc.

Seri

TrenchMOS™

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paket Perangkat Pemasok

D2PAK

Disipasi Daya (Maks)

200W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

55V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

75A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2V @ 1mA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

45nC @ 5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

3960pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±15V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 39267 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

PHB101NQ04T,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK