Beli Nexperia USA Inc. PMXB75UPEZ MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

PMXB75UPEZ

MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G

Nomor Bagian

PMXB75UPEZ

Pabrikan/Merek

Nexperia USA Inc.

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

3-XDFN Exposed Pad

Paket Perangkat Pemasok

DFN1010D-3

Disipasi Daya (Maks)

317mW (Ta), 8.33W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

2.9A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

608pF @ 10V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.2V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 28995 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

PMXB120EPE

MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN