Beli Nexperia USA Inc. PMXB120EPE MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

PMXB120EPE

MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN

Nomor Bagian

PMXB120EPE

Pabrikan/Merek

Nexperia USA Inc.

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

3-XDFN Exposed Pad

Paket Perangkat Pemasok

DFN1010D-3

Disipasi Daya (Maks)

400mW (Ta), 8.3W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

2.4A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

11nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

309pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 6207 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

PMXB120EPE

MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN