Beli Microsemi Corporation APT1001RBN MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

APT1001RBN

MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD

Nomor Bagian

APT1001RBN

Pabrikan/Merek

Microsemi Corporation

Seri

POWER MOS IV®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-247-3

Paket Perangkat Pemasok

TO-247AD

Disipasi Daya (Maks)

310W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

1000V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

11A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

1 Ohm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 1mA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

130nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2950pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 50396 PCS

Kontak informasi