Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
MMIX1F160N30T

MMIX1F160N30T

MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
Nomor Bagian
MMIX1F160N30T
Pabrikan/Merek
Seri
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
24-PowerSMD, 21 Leads
Paket Perangkat Pemasok
24-SMPD
Disipasi Daya (Maks)
570W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
300V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
102A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 8mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
335nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2800pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 17464 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari MMIX1F160N30T
MMIX1F160N30T Komponen elektronik
MMIX1F160N30T Penjualan
MMIX1F160N30T Pemasok
MMIX1F160N30T Distributor
MMIX1F160N30T Tabel data
MMIX1F160N30T Foto
MMIX1F160N30T Harga
MMIX1F160N30T Menawarkan
MMIX1F160N30T Harga terendah
MMIX1F160N30T Mencari
MMIX1F160N30T Pembelian
MMIX1F160N30T Kepingan