Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXTQ86N20T

IXTQ86N20T

MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P
Nomor Bagian
IXTQ86N20T
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-3P
Disipasi Daya (Maks)
480W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
86A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
90nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
4500pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 52359 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXTQ86N20T
IXTQ86N20T Komponen elektronik
IXTQ86N20T Penjualan
IXTQ86N20T Pemasok
IXTQ86N20T Distributor
IXTQ86N20T Tabel data
IXTQ86N20T Foto
IXTQ86N20T Harga
IXTQ86N20T Menawarkan
IXTQ86N20T Harga terendah
IXTQ86N20T Mencari
IXTQ86N20T Pembelian
IXTQ86N20T Kepingan